Истеҳсолкунанда ва заводи беҳтарини ҳалли касбии шишагии дарҳои яхдон

Ҳалли касбии шишагии дарҳои яхдон Тасвири махсус

Ҳалли касбии шишагии дари яхдон

Шишаи нарми паст-E (S1.16, S1.1Plus, D80), гузариши баланди нури намоён ва арзиши пасти U барои шишаи дари яхдон. Шишаи сахти паст-E (Tek15, Tek35, Tek70, Tek180, Tek250), ки муқовимати баланд дорад, барои шишаҳои гуногуни гармидиҳии барқии яхдон ва дари сардкунанда мувофиқ аст. Jinjing метавонад ҳам варақаҳои шишаи паст-E ва ҳам шишаи коркардшудаи дари яхдон, ба монанди шишаи мулоим, шишаи изолятсияшуда ва ғайраро таъмин кунад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Барчаспҳои маҳсулот

Бартариҳои шишаи дари яхдони Jinjing

Истеҳсоли тамоми занҷири саноати шиша ва коркарди аслии корхона назорати баланди сифати шишаро аз болооб таъмин мекунад: 13 хатти шинокунанда, 20 миллион ㎡ иқтидори истеҳсолии онлайн бо фишори паст ва 10 миллион ㎡ хатти офлайн бо фишори паст, 2 пойгоҳи коркарди шиша.

Беҳтарин технология ва беҳтарин маълумоти иҷрои шишаи Soft & Hard Low-E ба талаботи шароити гуногуни корӣ, самараноктар ва сарфаи энергия ҷавобгӯ аст.

Lisec, Bottero, Glaston, Bystronic …… Таҷҳизоти пешрафтаи коркард сифат ва кори беҳтарини шишаро таъмин мекунанд.

Маҳсулоти Jinjing Star (Параметрҳо)

Шишаи нарми паст-E

Шишаи нарми пасти E	VLT % (Варақи ягона)	VLT % (IGU)	Муқовимати варақ Ω/■	Арзиши U (Варақи ягона)	Арзиши U (IGU-16A)		Эмиссия (Баъд аз Тем.)
Шишаи нарми пасти E	VLT % (Варақи ягона)	VLT % (IGU)	Муқовимати варақ Ω/■	Арзиши U (Варақи ягона)	Ҳаво	Аргон	Эмиссия (Баъд аз Тем.)
С1.16	89	82	≤3.8	2.4	1.44	1.16	0.067
S1.1Plus	88	81	≤2.8	2.28	1.38	1.1	0.035
D80	80	73	≤2.1	2.25	1.34	1.08	0.03
Т70	75	70	≤0.72	2.18	1.29	1.02	0.02

Шишаи сахти паст-E

		TEK7	TEK10	TEK15	TEK35	TEK70	TEK180	TEK230	TEK250
Ғафсӣ		4мм, 3.2мм (±0.1мм)
Интиқоли нури намоён		≥80%	≥82%	>83%	≥83%	>83%	>83%	>83%	>83%
Инъикоси рӯйпӯш		≤11%	≤11%	<12%	<12%	<12%	<12%	<12%	<12%
Туман		≤5%	≤1.7%	≤1%	<1%	≤1%	≤1%	≤1%	≤1%
Муқовимати варақ	Пеш аз хашм	6-8Ω/■	8.0-9.5Ω/■	12-14Ω/■	34-38Ω/■	60-68Ω/■	180-200Ω/■	220-270Ω/■	260-320Ω/■
Арзиши E		<0.10	<0.13	<0.15	<0.35	<0.45	<0.60	<0.63	<0.67
Якрангии ранг (ΔE*ab)		≤0.8	≤0.8	≤0.8	≤0.8	≤0.8	≤0.8	≤0.8	≤0.8

Шишаи изолятсияшуда

Конфигуратсияи маҳсулот (IGU)	Ғафс (ММ)	Нури намоён			Арзиши U (в/м2к)		SHGC
		Твис%	Rvis%		Арзиши U (в/м2к)
		Твис%	Берун	In	Ҳаво	Аргон
3 мм шаффоф +12A +3 мм шаффоф	18	83	16	16	2.7	2.55	0.78
3 мм нарм Low-E (S1.16) +12A +3 мм шаффоф	18	82	13	13	1.71	1.4	0.61
3 мм нарм Low-E (S1.1Plus) +12A +3 мм шаффоф	18	81	15	14	1.64	1.32	0.56
3 мм сахти Low-E (TEK15) +12A +3 мм шаффоф	18	78	18	18	1.91	1.67	0.73
3 мм шаффоф +16A +3 мм шаффоф	22	83	16	16	2.69	2.56	0.78
3 мм нарм Low-E (S1.16) +16A +3 мм шаффоф	22	82	13	13	1.45	1.2	0.61
3 мм нарм Low-E (S1.1Plus) +16A +3 мм шаффоф	22	81	15	14	1.38	1.1	0.56
3 мм сахти Low-E (TEK15) +16A +3 мм шаффоф	22	78	18	18	1.94	1.71	0.73
4 мм шаффоф +12A +4 мм шаффоф	20	82	16	16	2.83	2.71	0.76
4 мм нарм Low-E (S1.16) +12A +4 мм шаффоф	20	80	14	14	1.71	1.42	0.6
4 мм нарм Low-E (S1.1Plus) +12A +4 мм шаффоф	20	80	15	15	1.64	1.33	0.56
4 мм сахти Low-E (TEK15) +12A +4 мм шаффоф	20	77	17	17	1.94	1.69	0.73
4 мм шаффоф +16A +4 мм шаффоф	24	82	16	16	2.68	2.63	0.76
4 мм нарм Low-E (S1.16) +16A +4 мм шаффоф	24	80	14	14	1.47	1.22	0.65
4 мм нарм Low-E (S1.1Plus) +16A +4 мм шаффоф	24	80	15	15	1.39	1.10	0.65
4 мм сахти Low-E (TEK15) +16A +4 мм шаффоф	24	76	17	17	1.73	1.52	0.68